存儲(chǔ)器大戰(zhàn)：NAND閃存和DRAM

激石Pepperstone(http://1adez.com/)報(bào)道：

受人工智能和大數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求激增，對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)的先進(jìn)性提出了更高要求。

在此背景下，存儲(chǔ)器巨頭之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)日趨白熱化。

NAND閃存

主要廠商正聚焦于堆疊層的突破。

近期，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，三星預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第9代NAND閃存（V-NAND）。該公司在2022年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了236層的第8代V-NAND閃存的規(guī)?；a(chǎn)。即將推出的第9代V-NAND閃存仍將采用雙層NAND閃存堆疊結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。業(yè)界預(yù)測(cè)，三星未來的第10代V-NAND預(yù)計(jì)將達(dá)到430層，屆時(shí)將轉(zhuǎn)向3層堆疊結(jié)構(gòu)。

展望未來，三星和鎧俠（Kioxia）均已公布其研發(fā)1000層NAND閃存的計(jì)劃。三星的目標(biāo)是在2030年之前研發(fā)1000層NAND閃存，鎧俠則計(jì)劃在2031年之前量產(chǎn)超過1000層的3D NAND閃存芯片。

DRAM

存儲(chǔ)器巨頭們正聚焦于先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)和3D DRAM技術(shù)。

2024年3月，美光（Micron）在其財(cái)報(bào)中披露，目前大部分DRAM芯片都處于1α和1β的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，下一代1γ DRAM將引入EUV光刻機(jī)，并已完成試產(chǎn)。

三星的DRAM芯片技術(shù)處于1b納米級(jí)別，近期報(bào)告表明，該公司計(jì)劃在今年內(nèi)利用EUV技術(shù)開始大規(guī)模生產(chǎn)1c納米DRAM。同時(shí)，三星也將在2025年邁入3D DRAM時(shí)代。該公司已經(jīng)展示了兩種3D DRAM技術(shù)：垂直通道晶體管和堆疊式DRAM。

SK海力士也在積極研發(fā)3D DRAM。去年，BusinessKorea報(bào)道稱，SK海力士提出將IGZO作為新一代3D DRAM的溝道材料。根據(jù)業(yè)界消息來源，IGZO是一種由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料。其最大的優(yōu)勢(shì)在于待機(jī)功耗低，非常適合需要長(zhǎng)壽命的DRAM晶體管。這一特性可以通過調(diào)整In（銦）、Ga（鎵）和ZnO（氧化鋅）的成分比例來很容易實(shí)現(xiàn)。